需求名称：	一种用于PVT法生长SiC单晶的装料装置的制作方法	关键字：		欲投资金额(万)：	1
所属行业：		高新技术领域：	石化与新材料	需求来源：
合作方式：		所在地：	河北省	所属十强产业：
学科分类：		战略新兴产业：		解决时限要求：

1.目前国际上采用的PVT法生长SiC单晶的过程中，生长室内的温度由坩埚壁向内传递，随着反应的进行，靠近石墨坩埚壁的SiC原料比内部SiC原料碳化严重，进而形成碳包裹物导致晶体缺陷，这就严重影响了SiC器件的特性。 2.在现有技术中通常使用如碳化钽涂层等做石墨件的保护层，降低生长组分中Si蒸汽对石墨件的腐蚀，从而减少包裹物的产生。但是，钽等金属价格比较昂贵，做成坩埚涂层等增加额外的工艺过程，造成成本增加。 3.现有技术在实施过程中的环境容易引入额外杂质，对晶体成晶质量造成隐患。在生长腔内使用多孔石墨网来阻挡碳颗粒的输运，虽然能减少到达晶体生长面的碳颗粒浓度和减少包裹物的生成。但是，生长腔内的多孔石墨网处会有SiC晶体结晶，阻挡了粉料中SiC气相组分的向上输运，生长速率大大降低，影响了产率。