需求名称：	一种用于辨别碳化硅晶片硅碳面的方法	关键字：		欲投资金额(万)：	1
所属行业：		高新技术领域：	石化与新材料	需求来源：
合作方式：		所在地：	河北省	所属十强产业：
学科分类：		战略新兴产业：		解决时限要求：

1. 目前常规的技术会对晶片两表面造成至少40微米的损伤，腐蚀后的晶片要重新进行抛光才可再利用，且高达500摄氏度的熔融态的KOH不但对晶片破坏率大，以及开放状态下的熔融态强碱对操作人员有潜在的危险。 2. 在切片前对滚圆后的晶锭进行两次定向，磨出两个大小不同的直面，称为主副定位边，切片后按主副定位边排序确定硅碳面。但是这就需要进行两次定向磨定位边，为了分清主副，要把主定位边磨到副定位边长度的二倍之多，既费成本，又损晶锭。 3. 现有技术的另一缺点是用此晶片做籽晶所长的晶锭单晶区域不够圆且靠近主副定位边处缺陷相比其他区域较多，再者一但晶片破裂很难通过此法辨别其极性。