二极管箝位式三电平电压源换流器损耗分析方法

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成果名称: 二极管箝位式三电平电压源换流器损耗分析方法 关键字: 应用行业:
高新技术领域: 所在地: 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: ZL201010565129 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 成果水平: 国内领先 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 课题来源:
第一完成单位名称: 华北电力大学(保定) 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 技术转让 交易价格(万): 2.00 所属十强产业:
本发明是一种二极管箝位式三电平电压源换流器(VoltageSourceConverter,VSC)损耗分析方法。包括有如下步骤:1)分析二极管箝位式三电平VSC的导通规律,建立绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)的多项式损耗模型;2)将IGBT的导通压降和开关损耗表示成电流的二次多项式;3)采用多项式拟合的方法来计算器件的损耗。本发明采用多项式拟合的方法简单快速地计算损耗,在此基础上,分析损耗随着功率因数和调制度的变化情况,和不同的运行点各个器件的损耗分布情况,给器件参数的选择和热设计提供了依据,具有较大的实用价值。
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